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  《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。本刊是中文核� ...

一种具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管

作者: 张颖颖

关键词: 碳化硅 光控 电流增益 变掺杂 均匀掺杂

摘要:提出并研究了一种具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管.通过Silvaco TACD计算机仿真平台,对具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管与常规均匀掺杂基区的SiC光控晶体管的性能进行了对比分析.结果表明,阶梯变掺杂基区结构可以产生加速载流子输运的感生电场,缩短基区渡越时间,改善器件开通性能.该结构提高了SiC光控晶体管的电流增益并缩短开通时间,但同时会损失部分关断性能.仿真结果显示,当变掺杂区浓度梯度为4.5×1020 cm-4时,电流增益与开通时间改善幅度分别达到18%和32%,关断时间增加了约22%.


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