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  《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。本刊是中文核� ...

GaAs基霍尔传感器的研究进展

作者: 董健方 [1] 彭挺 [2] 高能武 [2] 金立川 [1] 钟智勇 [1]

关键词: 霍尔传感器 砷化镓(GaAs) 异质结 磁场传感器 电压偏移消除技术

摘要:霍尔传感器作为磁传感器的重要成员,广泛应用于汽车电子和无线通信等电子系统.与以第一代半导体材料硅、锗等为基底的霍尔传感器相比,GaAs基霍尔传感器具有更高的磁场分辨率、灵敏度和稍好的温度特性.概述了GaAs材料在霍尔传感器领域的优势及霍尔单元形状的研究进展;综述了采用外延工艺制备的单外延结构的GaAs基霍尔传感器和异质结构的GaAs基霍尔传感器的研究进展;详细介绍了电压偏移消除技术的研究进展,包括结构的优化、正交对消补偿和旋转电流技术;最后对GaAs基霍尔传感器的发展趋势进行了展望.


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