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微电子封装金包银复合键合丝的微结构和性能

作者: 康菲菲 [1] 周文艳 [2] 吴永瑾 [1] 杨国祥 [1] 孔建稳 [1] 裴洪营 [1]

关键词: 微电子封装 金包银复合键合丝 退火孪晶 强度 电性能 键合性能

摘要:采用固相复合及大塑性拉拔技术制备了线径0.020 mm的金包银复合键合丝,并利用扫描电子显微镜、双束电子显微镜、单轴拉伸实验、电阻率实验、键合实验、线弧挑断实验及焊球推力实验等对其微结构和性能进行表征.结果表明:金包银复合键合丝的复层达到纳米级尺度,在芯材表面均匀连续覆盖,与芯材的界面结合力好.芯材横截面组织为等轴晶,晶粒细小弥散且内部有大量的板条状平行的退火孪晶.金包银复合键合丝具有较高的抗拉强度(230 MPa)和延伸率(15%),其强化机制为界面强化和细晶强化,其电性能受表面/界面以及晶界散射的影响而变差.金包银复合键合线弧形稳定,具有较高的键合可靠性,其挑断力(7.79g)与焊球推力(49.7g)均满足微电子封装技术对键合丝的品质要求.


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