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  《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。本刊是中文核� ...

一款全CMOS结构低功耗亚阈带隙基准源

作者: 刘锡锋 孙萍 居水荣 胡佳莉

关键词: 全CMOS结构 带隙基准源 亚阈工作状态 低功耗 低温度系数

摘要:基于CSMC 0.18 μm工艺,设计了一款全CMOS结构的带隙基准源电路.电路正常工作时,所有MOS管均处于亚阈工作状态,从而保证了整个带隙基准电路芯片具有极低的功耗.在电压输出方面,通过分压降低负温度系数(CTAT)电压同时降低相应的正温度系数(PTAT)电压,使输出电压小于1V.在温度系数方面,通过对CTAT电压进行分压降低负温度系数,配合级联PTAT电路,使温度系数能够精确可调.再经由PTAT电压调整管,极大改善了输出温度特性,得到较低的温度系数.后仿真结果表明该基准输出电压为495 mV,整体工作电流仅为8 nA,温度系数为4.86×10-6,工作温度为-50~150℃.该设计应用于低压差线性稳压器芯片中,芯片测试结果表明其性能良好.


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