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  《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。本刊是中文核� ...

基于0.18μm BiCMOS工艺的25Gbit/s光接收机前端电路设计

作者:李硕 何进 陈婷 薛喆 王豪 常胜 黄启俊 魏恒

关键词: 光接收机; 25 Gbit s; 跨阻放大器(TIA); 限幅放大器(LA); 直流偏移消除;

摘要:采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一款传输速率为25 Gbit/s的高速光接收机前端电路。前端电路主要包括跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)、直流偏移消除电路和输出缓冲级4部分。跨阻放大器采用了伪差分结构,相比于传统的单端转差分电路,减少了共模噪声,增强了电路的稳定性。限幅放大器采用了Cherry-Hooper结构,利用射极跟随器作为反馈通路,降低了输出电阻,将输出电容与放大级隔离,从而拓展带宽,提高电路增益。直流偏移消除电路,有效消除了跨阻放大器输出端的直流偏移,提高了电路的稳定性。仿真结果表明,光接收机前端电路跨阻增益为65.4 dBΩ,带宽为25.3 GHz,灵敏度为-16.7 dBm,功耗为163 mW。 


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