太阳娱乐游戏平台官网_大阳城2018集团娱乐网址

投稿须知

  《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。本刊是中文核� ...

26GHz Doherty MMIC功率放大器的研制

作者:董毅敏 蔡道民 高学邦 邬佳晟 汪江涛 谭仁超

关键词: 氮化镓(GaN); 单片微波集成电路(MMIC); Doherty功率放大器(DPA); 负载调制; 高电子迁移率晶体管(HEMT);

摘要：研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA)。Doherty功率放大器的输入匹配网络中采用兰格耦合器进行载波功率放大器和峰值功率放大器功率合成及90°相位补偿,输出网络中采用相位补偿线和阻抗变换电路,提高了放大器的线性度和效率。采用SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺进行了流片,芯片面积为3.0 mm×2.5 mm。芯片装配后测试表明,在频率为24.5～26.0 GHz内,Doherty MMIC功率放大器饱和输出功率为4 W,饱和时漏极效率大于24%,在回退8 dB时的漏极效率大于15%。 


上一篇：基于0.18μm BiCMOS工艺的25Gbit/s光接收机前端电路设计
下一篇：卫星通信系统CMOS分数分频频率综合器设计

中国电子科技集团公司第十三研究所版权所有 冀ICP备06002023号
地址：石家庄市合作路113号   邮政编码：050051