- · 中国电科党组传达学习习近平总书记在中央全面依法治国工作会议上的重要讲话精神[12/01]
- · 杨军会见酒泉市常务副市长何效祖[12/01]
- · 助力“双循环”，数字化解决方案赋能东盟国家数字化发展[12/01]
- · 中国电科党组部署落实国务委员王勇在中央企业科技创新座谈会上的讲话精神[11/30]
- · 中国电科举办“落实国企改革三年行动方案”专题培训班[11/30]
- · 杨军会见铜陵市委书记丁纯[11/27]
- · 中国电科入选中国企业精准扶贫综合案例50佳[11/26]
- · 融入新发展、共建新安全 中国网络信息安全科技创新发展联盟年度论坛在乌镇召开[11/25]
02 太阳娱乐游戏平台官网_大阳城2018集团娱乐网址 >期刊导读 > 2019 > 02 >
用于相控阵雷达的X波段SiGe低噪声放大器
作者:刘德志 王绍权 王鑫 马琳
关键词: 温度补偿; 低噪声放大器(LNA); SiGe BiCMOS; 有源相控阵雷达; X波段;
摘要：基于SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一款用于有源相控阵雷达的X波段低噪声放大器(LNA)。采用Cascode结构,有效扩展了放大器带宽,提高了放大器增益。使用噪声匹配与功率匹配一体化设计方法,实现了噪声与功率的同时匹配。同时加入了温度补偿偏置电路,降低了LNA高低温增益变化。采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺进行设计仿真和流片,测试结果表明,该LNA最高增益为17 dB,全频带内高低温增益变化0.5 dB,噪声系数为1.8 dB@10 GHz;LNA使用1.8 V供电,工作电流为14 mA。芯片核心面积为0.50 mm×0.58 mm。