- · 中国电科党组传达学习习近平总书记在中央全面依法治国工作会议上的重要讲话精神[12/01]
- · 杨军会见酒泉市常务副市长何效祖[12/01]
- · 助力“双循环”，数字化解决方案赋能东盟国家数字化发展[12/01]
- · 中国电科党组部署落实国务委员王勇在中央企业科技创新座谈会上的讲话精神[11/30]
- · 中国电科举办“落实国企改革三年行动方案”专题培训班[11/30]
- · 杨军会见铜陵市委书记丁纯[11/27]
- · 中国电科入选中国企业精准扶贫综合案例50佳[11/26]
- · 融入新发展、共建新安全 中国网络信息安全科技创新发展联盟年度论坛在乌镇召开[11/25]
02 太阳娱乐游戏平台官网_大阳城2018集团娱乐网址 >期刊导读 > 2019 > 02 >
热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响
作者:陈晓亮 陈天 钱忠健 张强
关键词: 浅槽隔离(STI); 热应力; 漏电流; 牺牲氧化层(SAC OX); 静态随机存储器(SRAM);
摘要：浅槽隔离(STI)技术广泛应用于深亚微米CMOS集成电路制造,是工艺应力主要的来源之一。CMOS工艺采用牺牲氧化层(SAC OX)、栅氧化层以及退火等多道热工艺过程,由此产生的热应力对集成电路漏电流有重要影响。使用TCAD软件对STI结构应力分布进行了仿真分析,通过分组实验对静态随机存储器(SRAM)芯片静态漏电流进行了测试分析。结果表明,牺牲氧化层工艺引起的热应力是导致SRAM漏电流的主要因素,其工艺温度越高,STI应力减小,芯片的漏电流则越小;而取消牺牲氧化层工艺可以获得更小的应力和漏电流。栅氧化层退火工艺可以有效释放应力并修复应力产生的缺陷,退火温度越高漏电流越小,片内一致性也越好。因此,对热工艺过程进行优化,避免热应力积累,是CMOS集成电路工艺开发过程中要考虑的关键问题之一。