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  《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。本刊是中文核� ...

混合型直流断路器用IGBT测试平台建模与分析

作者:邓二平 张传云 应晓亮 赵志斌 黄永章

关键词: 混合型直流断路器; 绝缘栅双极型晶体管(IGBT); 测试平台建模; 寄生参数; 应力分析;

摘要:为准确得到绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在混合型直流断路器下的性能参数,测试平台的设计非常重要。结合断路器的特殊工况,对测试平台关键部件模型进行分析,并考虑寄生参数建立测试平台精细化电路模型。仿真分析了测试平台寄生参数对被测IGBT测试电气应力的影响。结果表明,寄生电阻对测试应力影响很小,而缓冲电容换流回路寄生电感对IGBT关断能量影响显著,金属氧化物可变电阻器(MOV)放电回路寄生电感对IGBT的过电压影响显著,且各支路寄生电感对IGBT过电压的影响存在耦合性。建立的平台模型和寄生参数分析可以有效指导断路器用功率器件测试平台设计。 


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